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2SA1669-TB-E

Active - PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON

生産者:

SANYO Semiconductor

MFRパート #

2SA1669-TB-E

カテゴリ:

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - バイポーラRFトランジスタ

データシート:

2SA1669-TB-E

説明:

PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON

2SA1669-TB-E 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - バイポーラRFトランジスタ

生産者

SANYO Semiconductor

系列

-

包装

Bulk

製品ステータス

Active

トランジスタタイプ

PNP

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）

15V

周波数 - トランジション

3GHz

雑音指数（fあたりの標準dB）

2dB @ 900MHz

ゲイン

5dB

電力 - 最大

250mW

Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）

15 @ 5mA, 10V

電流 - コレクタ（Ic）（最大）

50mA

動作温度

-

取り付けタイプ

Surface Mount

パッケージ/ケース

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

サプライヤデバイスパッケージ

3-CP

2SA1669-TB-E 在庫: 11310

履歴価格

Active

5.0 / 5.0

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

商品は大変満足しており、売り手様は大変有難うございました。

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

89日でRecu、ストリップ、テストする

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

大丈夫です、ありがとうございます!

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

大丈夫です。時間内に受信

Felipe Soto

Spain

2021-02-06 23:42

完璧に受け取られました。対応するプリント回路基板にユニットを溶接し、Arduino Nanoプレートの故障したユニットを完全に交換しました。

2SA1669-TB-E

2SA1669-TB-E 仕様

2SA1669-TB-E 在庫: 11310

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