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K4RAH165VB-BIWM

Active - IC DRAM DDR5 16 Gb 5600 Mbps

K4RAH165VB-BIWM

Samsung Semiconductor

生産者:

Samsung Semiconductor

MFRパート #

K4RAH165VB-BIWM

カテゴリ:

データシート:

K4RAH165VB-BIWM

説明:

IC DRAM DDR5 16 Gb 5600 Mbps

K4RAH165VB-BIWM 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

生産者

Samsung Semiconductor

系列

-

包装

Tray

製品ステータス

Active

メモリタイプ

Volatile

メモリフォーマット

DRAM

技術

DDR5

メモリサイズ

16 Gb

メモリ構成

1G x 16

メモリインターフェース

Parallel

クロック周波数

-

書き込みサイクル時間 - ワード、ページ

-

アクセス時間

-

電圧 - 供給

1.1 V

動作温度

-40 ~ 95 ℃

取り付けタイプ

Surface Mount

パッケージ/ケース

106 FBGA

サプライヤデバイスパッケージ

106 FBGA

K4RAH165VB-BIWM 在庫: 16900

履歴価格

0

Certificates

5.0 / 5.0

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

大丈夫です。時間内に受信

Felipe Soto

Spain

2021-02-06 23:42

完璧に受け取られました。対応するプリント回路基板にユニットを溶接し、Arduino Nanoプレートの故障したユニットを完全に交換しました。

Katharina Schneider

Germany

2021-08-04 23:28

納期は2週間です。チップは正常に動作します

Paul Roy

France

2021-11-04 06:37

私の使用に対応

Laura Cristina

Spain

2021-07-11 09:01

テスト済み、期待どおりに動作します。

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