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K4FBE3D4HM-TFCL

Active - IC DRAM LPDDR4 32 Gb 4266 Mbps

生産者:

Samsung Semiconductor

MFRパート #

K4FBE3D4HM-TFCL

カテゴリ:

メモリ

データシート:

K4FBE3D4HM-TFCL

説明:

IC DRAM LPDDR4 32 Gb 4266 Mbps

K4FBE3D4HM-TFCL 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

メモリ

生産者

Samsung Semiconductor

系列

-

包装

Tray

製品ステータス

Active

メモリタイプ

Volatile

メモリフォーマット

DRAM

技術

LPDDR4

メモリサイズ

32 Gb

メモリ構成

x32

メモリインターフェース

Parallel

クロック周波数

-

書き込みサイクル時間 - ワード、ページ

-

アクセス時間

-

電圧 - 供給

1.8 / 1.1 / 1.1 V

動作温度

-40 ~ 95 ℃

取り付けタイプ

Surface Mount

パッケージ/ケース

200 FBGA

サプライヤデバイスパッケージ

200 FBGA

K4FBE3D4HM-TFCL 在庫: 13080

履歴価格

0

5.0 / 5.0

Danuta Krawczyk

Poland

2021-08-12 12:06

IGBTトランジスタは、プラスt7-hの横のテスターのSAを検出しません、Eプラスの12Vのprzelaczanieのテシーで、さらにzarowkaはCの12Vを駆動し、指をプラスでトリガーし、zalanczaは-wylanczaでトリガーしました。非常に速いwysylka、速い配達、プロダクトよいjakosci、非常に私達

Charles Reed

United States

2021-12-31 23:06

良い製品と正しく動作します。

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

好評、まだテストされていません

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。