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ホームページ / 集積回路（IC） / メモリ / Samsung Semiconductor K4E8E324ED-EGCG

K4E8E324ED-EGCG

EOL - IC DRAM LPDDR3 8 Gb 2133 Mbps

K4E8E324ED-EGCG

Samsung Semiconductor

生産者:

Samsung Semiconductor

MFRパート #

K4E8E324ED-EGCG

カテゴリ:

データシート:

K4E8E324ED-EGCG

説明:

IC DRAM LPDDR3 8 Gb 2133 Mbps

K4E8E324ED-EGCG 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

生産者

Samsung Semiconductor

系列

-

包装

Tray

製品ステータス

EOL

メモリタイプ

Volatile

メモリフォーマット

DRAM

技術

LPDDR3

メモリサイズ

8 Gb

メモリ構成

x32

メモリインターフェース

Parallel

クロック周波数

-

書き込みサイクル時間 - ワード、ページ

-

アクセス時間

-

電圧 - 供給

1.8 / 1.2 / 1.2 V

動作温度

-25 ~ 85 ℃

取り付けタイプ

Surface Mount

パッケージ/ケース

178 FBGA

サプライヤデバイスパッケージ

178 FBGA

K4E8E324ED-EGCG 在庫: 17450

履歴価格

0

Certificates

5.0 / 5.0

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

商品は大変満足しており、売り手様は大変有難うございました。

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

89日でRecu、ストリップ、テストする

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

大丈夫です、ありがとうございます!

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

大丈夫です。時間内に受信

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