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NP36P04KDG-E1-AY

Active - MOSFET P-CH 40V 36A TO263

生産者:

Renesas Electronics

MFRパート #

NP36P04KDG-E1-AY

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

NP36P04KDG-E1-AY

説明:

MOSFET P-CH 40V 36A TO263

NP36P04KDG-E1-AY 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

Renesas Electronics

系列

-

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

FETタイプ

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

40 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

36A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

4.5V, 10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

17mOhm @ 18A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

2.5V @ 1mA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

55 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?0V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

2800 pF @ 10 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

1.8W (Ta), 56W (Tc)

動作温度

175 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

TO-263

パッケージ/ケース

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NP36P04KDG-E1-AY 在庫: 44760

履歴価格

$2.00000

5.0 / 5.0

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

好評、まだテストされていません

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

商品は大変満足しており、売り手様は大変有難うございました。

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

89日でRecu、ストリップ、テストする

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

大丈夫です、ありがとうございます!

NP36P04KDG-E1-AY

NP36P04KDG-E1-AY 仕様

NP36P04KDG-E1-AY 在庫: 44760

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