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NE3520S03-T1C-A
Active - RF K BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
生産者:
Renesas Electronics
MFRパート #
NE3520S03-T1C-A
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - RF FET、MOSFET
データシート:
NE3520S03-T1C-A
説明:
RF K BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
NE3520S03-T1C-A 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - RF FET、MOSFET
生産者
Renesas Electronics
系列
-
包装
Bulk
製品ステータス
Active
技術
HFET
構成
20GHz
周波数
13.5dB
ゲイン
2 V
電圧 - テスト
70mA
定格電流（A）
-
雑音指数
-
電流 - テスト
-
電源 - 出力
4 V
電圧 - 定格
-
取り付けタイプ
4-SMD, Flat Leads
パッケージ/ケース
4-SMD
サプライヤデバイスパッケージ
-
NE3520S03-T1C-A 在庫: 15300
履歴価格
Active
5.0 / 5.0
Paul Roy
France
2021-11-04 06:37
私の使用に対応
Laura Cristina
Spain
2021-07-11 09:01
テスト済み、期待どおりに動作します。
Halina Jankowska
Poland
2021-12-09 23:36
迅速な発送、OK
Emil Kwiatkowski
Poland
2021-06-13 07:47
本物に見えます。IRロゴがあります。まだテストされていません。
Gintaras Jonas
Lithuania
2021-12-07 05:43
本物ではないように見えます
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