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2SK1058-E

Active - MOSFET N-CH 160V 7A TO3P

生産者:

Renesas Electronics

MFRパート #

2SK1058-E

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

2SK1058-E

説明:

MOSFET N-CH 160V 7A TO3P

2SK1058-E 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

Renesas Electronics

系列

-

包装

Tube

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

160 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

7A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

-

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

-

Id印加時のVgs（th）（最大）

-

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

-

Vgs（最大）

?5V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

600 pF @ 10 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

100W (Tc)

動作温度

150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Through Hole

サプライヤデバイスパッケージ

TO-3P

パッケージ/ケース

TO-220-3 Full Pack

2SK1058-E 在庫: 20100

履歴価格

Active

5.0 / 5.0

Danuta Krawczyk

Poland

2021-08-12 12:06

IGBTトランジスタは、プラスt7-hの横のテスターのSAを検出しません、Eプラスの12Vのprzelaczanieのテシーで、さらにzarowkaはCの12Vを駆動し、指をプラスでトリガーし、zalanczaは-wylanczaでトリガーしました。非常に速いwysylka、速い配達、プロダクトよいjakosci、非常に私達

Charles Reed

United States

2021-12-31 23:06

良い製品と正しく動作します。

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

好評、まだテストされていません

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。