新着商品

品質管理

フィードバック

FDS86267P

Active - MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC

生産者:

onsemi

MFRパート #

FDS86267P

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

FDS86267P

説明:

MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC

FDS86267P 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

onsemi

系列

PowerTrench

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

FETタイプ

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

150 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

2.2A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

6V, 10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

255mOhm @ 2.2A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

16 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?5V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

1130 pF @ 75 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

1W (Ta)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

8-SOIC

パッケージ/ケース

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDS86267P 在庫: 7185

履歴価格

$1.77000

5.0 / 5.0

Hans de Groot

Netherlands

2022-10-06 23:33

テストしていません

Marie Fischer

Germany

2023-03-20 09:16

非常に速い配達、トップ!

Hunter Davis

United States

2023-03-21 12:26

すべてが順調です...必要なもの..おすすめ

Cécile Morin

France

2023-03-17 23:55

まだ回路でテストされていません...

Peter Schneider

Germany

2023-03-09 03:13

10個のチップのいずれも正しく機能しませんでした。負荷をかけると、チップ内部の何かが衝突し、出力電圧が入力電圧に跳ね上がります。その後、チップはそれ以上調整されません。出力電圧=入力電圧。非常に品質が悪い!

FDS86267P

FDS86267P 仕様

FDS86267P 在庫: 7185

FDS86267P 関連パーツ