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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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FDS3572
Active - MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
生産者:
onsemi
MFRパート #
FDS3572
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
FDS3572
説明:
MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
FDS3572 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
onsemi
系列
PowerTrench
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
80 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
8.9A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
6V, 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
16mOhm @ 8.9A, 10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 250μA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
41 nC @ 10 V
Vgs(最大)
?0V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
1990 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
2.5W (Ta)
動作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
8-SOIC
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS3572 在庫: 5820
履歴価格
$1.66000
5.0 / 5.0
Margot Leroy
France
2023-04-05 07:51
トップは説明の通りです
Emily Becker
Germany
2023-04-06 01:07
RGBWボード用のMOSFETが必要でした。1年経ってもすべて問題ありません
Ivy Robinson
United States
2023-04-05 14:52
製品、価格、配送も優れています。素晴らしい販売者!!ありがとうございます。
Jairo Silva Sr.
Brazil
2023-04-06 07:46
非常に良い価格で、郵便販売も早いです。静かに買えます。
Isabela Fernanda
Brazil
2023-04-03 14:16
受け取った、問題なし。
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