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FDR6580

Obsolete - MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8

FDR6580

onsemi

生産者:

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8

FDR6580 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

系列

PowerTrench

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Obsolete

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

20 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

11.2A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

2.5V, 4.5V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

9mOhm @ 11.2A, 4.5V

Id印加時のVgs（th）（最大）

1.5V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

48 nC @ 4.5 V

Vgs（最大）

?V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

3829 pF @ 10 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

1.8W (Ta)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

SuperSOT?-8

パッケージ/ケース

8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

FDR6580 在庫: 1330

履歴価格

Obsolete

Certificates

5.0 / 5.0

Arminas Stankevičius

Lithuania

2023-03-18 06:50

すべてがうまくいっています。最大アンペア数はテストしていませんが、2アンペアを非常によく保持します。

Gaston Guichard

France

2023-03-18 02:42

説明によると、私はまだ溶接していません

Wioletta Kowalska

Poland

2023-03-17 23:22

商品はOK、非常に速い船積み。

Sofia Vitória

Brazil

2023-03-18 04:17

電圧制限でテストおよび確認された材料、メーカーの定格を超えるテスト。

George Mitchell

United States

2023-03-17 13:18

すべての非常に優れた機能がうまく機能します

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