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FDMS86202

Active - MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56

FDMS86202

onsemi

生産者:

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56

FDMS86202 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

系列

PowerTrench

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

120 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

13.5A (Ta)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

6V, 10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

7.2mOhm @ 13.5A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

64 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?0V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

4250 pF @ 60 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

2.7W (Ta), 156W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

8-PQFN (5x6)

パッケージ/ケース

8-PowerTDFN

FDMS86202 在庫: 15415

履歴価格

$4.26000

Certificates

5.0 / 5.0

Sofia Vitória

Brazil

2023-03-18 04:17

電圧制限でテストおよび確認された材料、メーカーの定格を超えるテスト。

George Mitchell

United States

2023-03-17 13:18

すべての非常に優れた機能がうまく機能します

Nienke de Haan

Netherlands

2023-03-17 03:02

9日でオランダにお届けします!!素晴らしいサービス

Anna Schmidt

Germany

2023-03-17 08:43

すべてが素晴らしく、非常に速い船積み

Ivo Pereira

Brazil

2023-03-17 13:40

この売り手からのすべてのコンポーネントと製品は100%、帯電防止パッキング、お勧めです、速くよく梱包されたことをお勧めします。

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