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FDMS86101E

Obsolete - MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN

FDMS86101E

onsemi

生産者:

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN

FDMS86101E 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

系列

PowerTrench

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Obsolete

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

100 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

12.4A (Ta), 60A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

6V, 10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

8mOhm @ 13A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

55 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?0V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

3000 pF @ 50 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

2.5W (Ta), 104W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

8-PQFN (5x6)

パッケージ/ケース

8-PowerTDFN

FDMS86101E 在庫: 39620

履歴価格

Obsolete

Certificates

5.0 / 5.0

Ville Räsänen

Finland

2022-12-19 19:44

配達物が届きませんでした。

Asher King

United States

2023-03-25 13:19

(東芝)の様な説明です。私が求めた金額です。彼はすぐに送った。まだ証明されていないので、後で追加のコメントを載せます。

Éloïse Dupuis

France

2023-03-25 19:53

いい感じです。まだテストされていません。

Naomi Thompson

United States

2022-11-10 14:27

一部の損傷したコンポーネント、使用不能

Émile Lecomte

France

2023-03-20 09:32

まあ50個。価格に見合った素晴らしい!

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