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ホームページ / ディスクリート半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - FET、MOSFETアレイ / onsemi FDMD86100

FDMD86100

Active - MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6

FDMD86100

onsemi

生産者:

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - FET、MOSFETアレイ

データシート:

説明:

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6

FDMD86100 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - FET、MOSFETアレイ

生産者

系列

PowerTrench

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

技術

2 N-Channel (Dual) Common Source

構成

Standard

FET機能

100V

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

10A

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

10.5mOhm @ 10A, 10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

4V @ 250μA

Id印加時のVgs（th）（最大）

30nC @ 10V

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

2060pF @ 50V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

2.2W

電力 - 最大

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

動作温度

Surface Mount

取り付けタイプ

8-PowerWDFN

パッケージ/ケース

8-Power 5x6

サプライヤデバイスパッケージ

-

FDMD86100 在庫: 34730

履歴価格

$4.74000

Certificates

5.0 / 5.0

橋本美穂

Japan

2023-02-22 08:52

商品を受け取りました。ありがとうございます！！！！

Bella Johnson

United States

2022-08-31 13:07

合法的に見えます。まだテストしていません。

Arvydas Gintaras

Lithuania

2023-02-22 08:13

私のxbox one Sが修正されました、ありがとう

Ulysses Ribeiro Júnior

Brazil

2022-09-13 04:07

宣伝どおりに速く到着しました

Leo Hall

United States

2023-02-22 04:40

とても幸せです、ありがとう

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