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FDB8874

Obsolete - MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB

FDB8874

onsemi

生産者:

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB

FDB8874 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

系列

PowerTrench

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Obsolete

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

30 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

21A (Ta), 121A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

4.5V, 10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

4.7mOhm @ 40A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

2.5V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

72 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?0V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

3130 pF @ 15 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

110W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

D2PAK (TO-263)

パッケージ/ケース

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB8874 在庫: 32000

履歴価格

Obsolete

Certificates

5.0 / 5.0

Éva Delaunay

France

2023-03-26 01:25

彼らは予想よりもはるかに早く到着しました。私がしなければならないのは、それらに乗ることだけです。

Jussara Costa Ferreira

Brazil

2023-03-24 07:14

素晴らしい製品。
すでにテスト済み

Laura Salmi

Finland

2023-03-24 03:47

単純に素晴らしいです!!ありがとうございます。

Ville Räsänen

Finland

2022-12-19 19:44

配達物が届きませんでした。

Asher King

United States

2023-03-25 13:19

(東芝)の様な説明です。私が求めた金額です。彼はすぐに送った。まだ証明されていないので、後で追加のコメントを載せます。

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