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FDB8860

Obsolete - MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB

FDB8860

onsemi

生産者:

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB

FDB8860 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

系列

PowerTrench

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Obsolete

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

30 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

80A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

4.5V, 10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

2.3mOhm @ 80A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

3V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

214 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?0V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

12585 pF @ 15 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

254W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

D2PAK (TO-263)

パッケージ/ケース

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB8860 在庫: 6735

履歴価格

Obsolete

Certificates

5.0 / 5.0

Pedro Miguel

Brazil

2023-03-22 09:52

素晴らしい製品。
1つはすでにテストされ、完璧に機能しています

Davi Lucas Júnior

Brazil

2023-03-22 15:33

良質なコンポーネント

Sanne van der Zanden

Netherlands

2023-03-23 13:21

スムーズに作業していただきありがとうございます

Chase Wilson

United States

2023-03-22 19:30

とても満足しています

Thomas Schneider

Germany

2023-03-24 00:36

プロフェッショナルな製造と迅速な配達
優れた品質と機能性
引き続きお勧めし、再び歓迎
しますありがとうございます

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