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FDB3860

Obsolete - MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263

FDB3860

onsemi

生産者:

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

データシート:

説明:

MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263

FDB3860 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET

生産者

系列

PowerTrench

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Obsolete

FETタイプ

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

100 V

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

6.4A (Ta), 30A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）

10V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

37mOhm @ 5.9A, 10V

Id印加時のVgs（th）（最大）

4.5V @ 250μA

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

30 nC @ 10 V

Vgs（最大）

?0V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

1740 pF @ 50 V

FET機能

-

電力散逸（最大）

3.1W (Ta), 71W (Tc)

動作温度

-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

サプライヤデバイスパッケージ

D2PAK (TO-263)

パッケージ/ケース

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB3860 在庫: 28510

履歴価格

Obsolete

Certificates

5.0 / 5.0

Amy Adams

United States

2023-02-10 13:39

注文した以外の集積回路が入荷しました。

Fernando Andrés

Spain

2023-02-26 01:48

すべてOK、ありがとう

Max Thompson

United States

2022-11-02 23:28

すべてOKですが、3か月以上かかります。修理中の顧客は何のstraci?emによって。%26lt;br%26gt;おすすめ。

Hans-Peter Müller

Germany

2023-02-25 10:28

彼らは完璧な状態で到着しました、あなたはただ試してみる必要があります

Orlando Rinaldi

Italy

2023-02-27 06:56

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