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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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FDB3502
Active - MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
生産者:
onsemi
MFRパート #
FDB3502
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
FDB3502
説明:
MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
FDB3502 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
onsemi
系列
PowerTrench
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
75 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
6A (Ta), 14A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
47mOhm @ 6A, 10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4.5V @ 250μA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
15 nC @ 10 V
Vgs(最大)
?0V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
815 pF @ 40 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
3.1W (Ta), 41W (Tc)
動作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FDB3502 在庫: 3025
履歴価格
$1.82000
5.0 / 5.0
Jussara Costa Ferreira
Brazil
2023-03-24 07:14
素晴らしい製品。
すでにテスト済み
Laura Salmi
Finland
2023-03-24 03:47
単純に素晴らしいです!!ありがとうございます。
Ville Räsänen
Finland
2022-12-19 19:44
配達物が届きませんでした。
Asher King
United States
2023-03-25 13:19
(東芝)の様な説明です。私が求めた金額です。彼はすぐに送った。まだ証明されていないので、後で追加のコメントを載せます。
Éloïse Dupuis
France
2023-03-25 19:53
いい感じです。まだテストされていません。
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