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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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FDB2614
Active - MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
生産者:
onsemi
MFRパート #
FDB2614
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
FDB2614
説明:
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
FDB2614 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
onsemi
系列
PowerTrench
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
200 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
62A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
27mOhm @ 31A, 10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
5V @ 250μA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
99 nC @ 10 V
Vgs(最大)
?0V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
7230 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
260W (Tc)
動作温度
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FDB2614 在庫: 3680
履歴価格
$4.94000
5.0 / 5.0
Hans Kraus
Germany
2023-04-05 08:22
では、どうあるべきでしょうか!!
Daniela Romano
Italy
2023-04-04 12:09
すべて問題ありません
Marloes de Lange
Netherlands
2023-04-01 03:19
急いで送った。検査済みで問題ありません。
Carlo Gallo
Italy
2023-04-04 04:42
完璧だ。イタリアに到着したのはとても短期間でした。とても良い売り手です。
Yara van der Heijden
Netherlands
2022-10-29 11:42
すべて仕事で、すでに数回購入しています
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