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トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
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FDB2572
Active - MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
生産者:
onsemi
MFRパート #
FDB2572
カテゴリ:
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
データシート:
FDB2572
説明:
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
FDB2572 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
トランジスタ - FET、MOSFET - シングルFET、MOSFET
生産者
onsemi
系列
PowerTrench
包装
Tape & Reel (TR)
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
150 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
4A (Ta), 29A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
6V, 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
54mOhm @ 9A, 10V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 250μA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
34 nC @ 10 V
Vgs(最大)
?0V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
1770 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸(最大)
135W (Tc)
動作温度
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ
D2PAK (TO-263)
パッケージ/ケース
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
FDB2572 在庫: 41970
履歴価格
$2.26000
5.0 / 5.0
Ivo Pereira Silva
Brazil
2023-03-24 08:46
素晴らしい品質の製品は、この売り手をお勧めします!
Pedro Miguel
Brazil
2023-03-22 09:52
素晴らしい製品。
1つはすでにテストされ、完璧に機能しています
Davi Lucas Júnior
Brazil
2023-03-22 15:33
良質なコンポーネント
Sanne van der Zanden
Netherlands
2023-03-23 13:21
スムーズに作業していただきありがとうございます
Chase Wilson
United States
2023-03-22 19:30
とても満足しています
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