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1N916B

Active Icon Active - DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
1N916B
1N916B
onsemi
生産者:
MFRパート #
データシート:
説明:
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
 
3D Model Icon

1N916B 仕様

商品属性
属性値
生産者
系列
-
包装
Bulk
製品ステータス
Active
技術
Standard
電圧 - DC逆方向(Vr)(最大)
100 V
電流 - 平均整流(Io)
200mA
電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大)
1 V @ 20 mA
速度
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr)
4 ns
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ
5 μA @ 75 V
Vr、F印加時の静電容量
2pF @ 0V, 1MHz
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤデバイスパッケージ
DO-35
動作温度 - ジャンクション
-55 ℃ ~ 175 ℃

1N916B 在庫: 28720

履歴価格
$0.12000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Ana Teresa
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-24 06:22
非常にいいです。大丈夫です。あいさつ。ありがとうございます。。。
Author Icon
Sergio Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-23 22:54
すべてがOKをお勧めします、素晴らしい製品
Author Icon
Annelies de Wit
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-03-25 04:23
注文したとおりのすべて、品質はチェックしていませんが、外観と数量は説明の通りです。配達は速いです。ありがとうございます!(PS はい、私は女性です!混乱させないでください!
Author Icon
Éva Delaunay
Location Icon France
5 stars
2023-03-26 01:25
彼らは予想よりもはるかに早く到着しました。私がしなければならないのは、それらに乗ることだけです。
Author Icon
Jussara Costa Ferreira
Location Icon Brazil
5 stars
2023-03-24 07:14
素晴らしい製品。
すでにテスト済み

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