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ホームページ / ディスクリート半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - RF FET、MOSFET / NXP Semiconductors BLF6G15L-40BRN,112

BLF6G15L-40BRN,112

Active - RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI

BLF6G15L-40BRN,112

NXP Semiconductors

生産者:

NXP Semiconductors

MFRパート #

BLF6G15L-40BRN,112

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - RF FET、MOSFET

データシート:

BLF6G15L-40BRN,112

説明:

RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI

BLF6G15L-40BRN,112 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - RF FET、MOSFET

生産者

NXP Semiconductors

系列

-

包装

Tube

製品ステータス

Active

技術

LDMOS (Dual), Common Source

構成

1.47GHz ~ 1.51GHz

周波数

22dB

ゲイン

28 V

電圧 - テスト

11A

定格電流（A）

-

雑音指数

330 mA

電流 - テスト

2.5W

電源 - 出力

65 V

電圧 - 定格

-

取り付けタイプ

SOT-1112A

パッケージ/ケース

CDFM6

サプライヤデバイスパッケージ

-

BLF6G15L-40BRN,112 在庫: 41360

履歴価格

$53.78000

Certificates

5.0 / 5.0

Gintaras Jonas

Lithuania

2021-12-07 05:43

本物ではないように見えます

Laura Ramirez

United States

2021-07-21 00:28

さて、発表によると。

Valentina

Spain

2021-07-21 07:53

説明されているように、製品は良好です。

Éva Lefebvre

France

2021-11-23 07:05

非常に迅速にありがとうございました

Benjamin Dupuis

France

2021-11-15 15:01

私の注文にありません...

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