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ホームページ / ディスクリート半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - RF FET、MOSFET / NXP Semiconductors A2T09VD250NR1

A2T09VD250NR1

Active - IC TRANS RF LDMOS

A2T09VD250NR1

NXP Semiconductors

生産者:

NXP Semiconductors

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - RF FET、MOSFET

データシート:

説明:

IC TRANS RF LDMOS

A2T09VD250NR1 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - RF FET、MOSFET

生産者

NXP Semiconductors

系列

-

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

技術

LDMOS (Dual)

構成

920MHz

周波数

22.5dB

ゲイン

48 V

電圧 - テスト

-

定格電流（A）

-

雑音指数

1 A

電流 - テスト

65W

電源 - 出力

105 V

電圧 - 定格

-

取り付けタイプ

TO-270-6 Variant, Flat Leads

パッケージ/ケース

TO-270WB-6A

サプライヤデバイスパッケージ

-

A2T09VD250NR1 在庫: 39275

履歴価格

$52.66948

Certificates

5.0 / 5.0

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

好評、まだテストされていません

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

商品は大変満足しており、売り手様は大変有難うございました。

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

89日でRecu、ストリップ、テストする

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

大丈夫です、ありがとうございます!

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