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NTE649G

Active - DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

NTE649G

NTE Electronics

生産者:

NTE Electronics

MFRパート #

カテゴリ:

ダイオード - 整流器 - シングルダイオード

データシート:

説明:

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

NTE649G 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

ダイオード - 整流器 - シングルダイオード

生産者

NTE Electronics

系列

-

包装

Bag

製品ステータス

Active

技術

Standard

電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）

400 V

電流 - 平均整流（Io）

1A

電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）

1.3 V @ 1 A

速度

Fast Recovery = 200mA (Io)

逆回復時間（trr）

150 ns

電流 - Vr印加時の逆方向漏れ

5 μA @ 400 V

Vr、F印加時の静電容量

10pF @ 4V, 1MHz

取り付けタイプ

Surface Mount

パッケージ/ケース

DO-214AC, SMA

サプライヤデバイスパッケージ

DO-214AC (SMA)

動作温度 - ジャンクション

-55 ℃ ~ 150 ℃

NTE649G 在庫: 40430

履歴価格

$0.18000

Certificates

5.0 / 5.0

Jussara Costa Ferreira

Brazil

2023-03-24 07:14

素晴らしい製品。
すでにテスト済み

Laura Salmi

Finland

2023-03-24 03:47

単純に素晴らしいです!!ありがとうございます。

Ville Räsänen

Finland

2022-12-19 19:44

配達物が届きませんでした。

Asher King

United States

2023-03-25 13:19

(東芝)の様な説明です。私が求めた金額です。彼はすぐに送った。まだ証明されていないので、後で追加のコメントを載せます。

Éloïse Dupuis

France

2023-03-25 19:53

いい感じです。まだテストされていません。

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