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MX2N5115UB

Active - JFET

MX2N5115UB

Microchip Technology

生産者:

Microchip Technology

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - JFET

データシート:

説明:

JFET

MX2N5115UB 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - JFET

生産者

Microchip Technology

系列

Military, MIL-PRF-19500

包装

Bulk

製品ステータス

Active

FETタイプ

P-Channel

電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）

30 V

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

30 V

電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）

15 mA @ 15 V

電流ドレイン（Id） - 最大

-

電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）

3 V @ 1 nA

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

25pF @ 15V

抵抗 - RDS（On）

100 Ohms

電力 - 最大

500 mW

動作温度

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

パッケージ/ケース

3-SMD, No Lead

サプライヤデバイスパッケージ

UB

MX2N5115UB 在庫: 27180

履歴価格

$83.59050

Certificates

5.0 / 5.0

Enrico Morelli

Italy

2023-04-04 12:09

すべて問題ありません

Kiko Almeida Ferreira

Brazil

2023-03-31 04:07

出品者で、非常に迅速な配達です。オリジナル製品です。説明通りです。おすすめします

Lúcia Costa

Brazil

2023-04-04 10:54

まだ使っていませんが届きました。

Javier Felipe

Spain

2023-04-06 08:13

非常に正確で、非常に速く、有利です

Hans Kraus

Germany

2023-04-05 08:22

では、どうあるべきでしょうか!!

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