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MV2N5116UB

Active - JFET

MV2N5116UB

Microchip Technology

生産者:

Microchip Technology

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - JFET

データシート:

説明:

JFET

MV2N5116UB 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - JFET

生産者

Microchip Technology

系列

Military, MIL-PRF-19500

包装

Bulk

製品ステータス

Active

FETタイプ

P-Channel

電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）

30 V

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

30 V

電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）

5 mA @ 15 V

電流ドレイン（Id） - 最大

-

電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）

1 V @ 1 nA

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

27pF @ 15V

抵抗 - RDS（On）

175 Ohms

電力 - 最大

500 mW

動作温度

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

パッケージ/ケース

3-SMD, No Lead

サプライヤデバイスパッケージ

UB

MV2N5116UB 在庫: 12530

履歴価格

$91.95620

Certificates

5.0 / 5.0

Wyatt Lewis

United States

2023-03-01 17:50

トリックをやった。ESP8266ブレークアウトボードの電圧レギュレーターに使用していました。

Anatole Guerin

France

2023-03-01 06:20

非常に良い555高速配達は完璧に機能します

Wioletta Sienkiewicz

Poland

2023-03-02 10:04

発送が早く、すべてOK、商品やセールスマンをお勧めします。

Kristina Balčiūnaitė

Lithuania

2023-03-02 10:05

すべてが大丈夫です。

中川大輔

Japan

2023-02-28 02:56

商品が届きませんでした!!

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