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MQ2N5116UB

Active - JFET

MQ2N5116UB

Microchip Technology

生産者:

Microchip Technology

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - JFET

データシート:

説明:

JFET

MQ2N5116UB 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - JFET

生産者

Microchip Technology

系列

Military, MIL-PRF-19500

包装

Bulk

製品ステータス

Active

FETタイプ

P-Channel

電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）

30 V

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

30 V

電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）

5 mA @ 15 V

電流ドレイン（Id） - 最大

-

電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）

1 V @ 1 nA

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

27pF @ 15V

抵抗 - RDS（On）

175 Ohms

電力 - 最大

500 mW

動作温度

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Surface Mount

パッケージ/ケース

3-SMD, No Lead

サプライヤデバイスパッケージ

UB

MQ2N5116UB 在庫: 38485

履歴価格

$72.71110

Certificates

5.0 / 5.0

Noémie Lefevre

France

2023-06-26 01:39

完璧です、ありがとうございます

Monika Zawadzka

Poland

2023-06-25 09:02

非常に迅速な発送と配送が、説明通りESD封筒とペシェドラル封筒に梱包されています。

Senhor Ricardo

Brazil

2023-06-25 18:54

とても良いおすすめです

Doutora Alice

Brazil

2023-06-26 07:20

広告通りの素晴らしい販売者で、ありがとうございます。

Beatriz Lima Santos

Brazil

2023-06-26 11:08

良質な製品です。l

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