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ホームページ / ディスクリート半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ / Microchip Technology 2N657S

2N657S

Active - POWER BJT

2N657S

Microchip Technology

生産者:

Microchip Technology

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ

データシート:

説明:

POWER BJT

2N657S 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ

生産者

Microchip Technology

系列

-

包装

Bulk

製品ステータス

Active

トランジスタタイプ

NPN

電流 - コレクタ（Ic）（最大）

-

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）

40 V

Vce飽和（最大） @ lb、Ic

1.5V @ 15mA, 150mA

電流 - コレクタ遮断（最大）

10μA (ICBO)

Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）

40 @ 150mA, 10V

電力 - 最大

600 mW

周波数 - トランジション

-

動作温度

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Through Hole

パッケージ/ケース

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

サプライヤデバイスパッケージ

TO-5AA

2N657S 在庫: 47960

履歴価格

$38.83500

Certificates

5.0 / 5.0

Ville Räsänen

Finland

2022-12-19 19:44

配達物が届きませんでした。

Asher King

United States

2023-03-25 13:19

(東芝)の様な説明です。私が求めた金額です。彼はすぐに送った。まだ証明されていないので、後で追加のコメントを載せます。

Éloïse Dupuis

France

2023-03-25 19:53

いい感じです。まだテストされていません。

Naomi Thompson

United States

2022-11-10 14:27

一部の損傷したコンポーネント、使用不能

Émile Lecomte

France

2023-03-20 09:32

まあ50個。価格に見合った素晴らしい!

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