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ホームページ / ディスクリート半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ / Microchip Technology 2N6579

2N6579

Active - POWER BJT

2N6579

Microchip Technology

生産者:

Microchip Technology

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ

データシート:

説明:

POWER BJT

2N6579 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ

生産者

Microchip Technology

系列

-

包装

Bulk

製品ステータス

Active

トランジスタタイプ

NPN

電流 - コレクタ（Ic）（最大）

12 A

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）

350 V

Vce飽和（最大） @ lb、Ic

1.5V @ 500μA, 3mA

電流 - コレクタ遮断（最大）

-

Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）

-

電力 - 最大

125 W

周波数 - トランジション

-

動作温度

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Through Hole

パッケージ/ケース

TO-204AA, TO-3

サプライヤデバイスパッケージ

TO-204AD (TO-3)

2N6579 在庫: 25700

履歴価格

$167.89500

Certificates

5.0 / 5.0

Stanisław Kaczor

Poland

2023-03-26 07:37

注文に応じて良質な商品。配達時間18日。

John Jones

United Kingdom

2023-03-27 06:47

素晴らしいアイテム、素晴らしい売り手、A

Kátia Almeida Lima

Brazil

2023-03-27 19:58

製品を受け取りましたが、まだテストしていませんが、購入には満足しています。

Fábio Gomes Filho

Brazil

2023-03-27 14:43

まだ使ってない
右売り手

Krystyna Zawadzka

Poland

2023-03-27 01:57

すべて説明によると。Russia morduje Ukraińców

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