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ホームページ  /  ディスクリート半導体製品  /  トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングルバイポーラトランジスタ  /  Microchip Technology 2N6512

2N6512

Active Icon Active - POWER BJT
2N6512
2N6512
Microchip Technology
MFRパート #
データシート:
説明:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N6512 仕様

商品属性
属性値
系列
-
包装
Bulk
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
7 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
300 V
Vce飽和(最大) @ lb、Ic
1.5V @ 800mA, 4A
電流 - コレクタ遮断(最大)
-
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
10 @ 4A, 3V
電力 - 最大
120 W
周波数 - トランジション
3MHz
動作温度
-
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-204AA, TO-3
サプライヤデバイスパッケージ
TO-204AD (TO-3)

2N6512 在庫: 13735

履歴価格
$75.69000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Edmond Lamy
Location Icon France
5 stars
2023-02-08 00:59
誤解を招く画像。2つの部分があると思ってた
Author Icon
Domenico Conti
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-13 13:31
彼らは数日遅れて到着しましたが、それ以外はすべて大丈夫でした。
売り手はかなり利用可能です私はお勧めします
Author Icon
Simone Joly
Location Icon France
5 stars
2023-03-14 10:55
説明に合わせます。良い値。
Author Icon
Claudia Ferri
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-15 07:51
良質な商品。信頼できるベンダー。
速い船積み。
Author Icon
Valentina Sofía
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-12 11:40
非常に速い船積み。適切な操作。

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