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ホームページ  /  ディスクリート半導体製品  /  トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングルバイポーラトランジスタ  /  Microchip Technology 2N6282

2N6282

Active Icon Active - POWER BJT
2N6282
2N6282
Microchip Technology
MFRパート #
データシート:
説明:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N6282 仕様

商品属性
属性値
系列
-
包装
Bulk
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN - Darlington
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
20 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
60 V
Vce飽和(最大) @ lb、Ic
3V @ 200mA, 20A
電流 - コレクタ遮断(最大)
1mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
750 @ 10A, 3V
電力 - 最大
160 W
周波数 - トランジション
-
動作温度
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
Die
サプライヤデバイスパッケージ
Die

2N6282 在庫: 3690

履歴価格
$59.08500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Annelies de Wit
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-03-25 04:23
注文したとおりのすべて、品質はチェックしていませんが、外観と数量は説明の通りです。配達は速いです。ありがとうございます!(PS はい、私は女性です!混乱させないでください!
Author Icon
Éva Delaunay
Location Icon France
5 stars
2023-03-26 01:25
彼らは予想よりもはるかに早く到着しました。私がしなければならないのは、それらに乗ることだけです。
Author Icon
Jussara Costa Ferreira
Location Icon Brazil
5 stars
2023-03-24 07:14
素晴らしい製品。
すでにテスト済み
Author Icon
Laura Salmi
Location Icon Finland
5 stars
2023-03-24 03:47
単純に素晴らしいです!!ありがとうございます。
Author Icon
Ville Räsänen
Location Icon Finland
5 stars
2022-12-19 19:44
配達物が届きませんでした。

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