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ホームページ  /  ディスクリート半導体製品  /  トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングルバイポーラトランジスタ  /  Microchip Technology 2N5619

2N5619

Active Icon Active - POWER BJT
2N5619
2N5619
Microchip Technology
MFRパート #
データシート:
説明:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5619 仕様

商品属性
属性値
系列
-
包装
Bulk
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
5 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
100 V
Vce飽和(最大) @ lb、Ic
1.5V @ 500μA, 2.5mA
電流 - コレクタ遮断(最大)
-
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
-
電力 - 最大
58 W
周波数 - トランジション
-
動作温度
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-204AA, TO-3
サプライヤデバイスパッケージ
TO-204AD (TO-3)

2N5619 在庫: 34660

履歴価格
$71.28000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Davi Lucas Júnior
Location Icon Brazil
5 stars
2023-03-22 15:33
良質なコンポーネント
Author Icon
Sanne van der Zanden
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-03-23 13:21
スムーズに作業していただきありがとうございます
Author Icon
Chase Wilson
Location Icon United States
5 stars
2023-03-22 19:30
とても満足しています
Author Icon
Thomas Schneider
Location Icon Germany
5 stars
2023-03-24 00:36
プロフェッショナルな製造と迅速な配達
優れた品質と機能性
引き続きお勧めし、再び歓迎
します ありがとうございます
Author Icon
Niccolò Fontana
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-20 09:58
素晴らしいお店、大丈夫です。どうもありがとうございます。

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