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ホームページ / ディスクリート半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ / Microchip Technology 2N5612

2N5612

Active - POWER BJT

2N5612

Microchip Technology

生産者:

Microchip Technology

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ

データシート:

説明:

POWER BJT

2N5612 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ

生産者

Microchip Technology

系列

-

包装

Bulk

製品ステータス

Active

トランジスタタイプ

NPN

電流 - コレクタ（Ic）（最大）

5 A

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）

100 V

Vce飽和（最大） @ lb、Ic

-

電流 - コレクタ遮断（最大）

-

Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）

-

電力 - 最大

25 W

周波数 - トランジション

-

動作温度

-

取り付けタイプ

Through Hole

パッケージ/ケース

TO-213AA, TO-66-2

サプライヤデバイスパッケージ

TO-66 (TO-213AA)

2N5612 在庫: 22930

履歴価格

$41.38500

Certificates

5.0 / 5.0

Delphine Leroy

France

2023-02-10 21:09

クールなパッケージ。わかりました！

Annelies van der Veen

Netherlands

2023-02-10 00:45

まだテストできません

Octave Mercier

France

2023-02-10 06:39

スーパービアンメルシー

Célestine Dupont

France

2023-02-09 12:01

ありがとう、準拠したオブジェクト、短納期フォローアップOK、次の注文で見てください!!

Sandro Almeida

Brazil

2023-02-10 14:12

この材料はまだテストされていませんが、配送のスピードはすでに称賛に値します。

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