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ホームページ  /  ディスクリート半導体製品  /  トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングルバイポーラトランジスタ  /  Microchip Technology 2N5409

2N5409

Active Icon Active - POWER BJT
2N5409
2N5409
Microchip Technology
MFRパート #
データシート:
説明:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5409 仕様

商品属性
属性値
系列
-
包装
Bulk
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
5 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
100 V
Vce飽和(最大) @ lb、Ic
-
電流 - コレクタ遮断(最大)
-
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
-
電力 - 最大
52 W
周波数 - トランジション
-
動作温度
-
取り付けタイプ
Stud Mount
パッケージ/ケース
TO-111-4, Stud
サプライヤデバイスパッケージ
TO-111

2N5409 在庫: 29400

履歴価格
$276.79500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Nathaniel Parker
Location Icon United States
5 stars
2023-02-03 22:43
コンポーネントテスターは、10個のBD912トランジスタすべてが141〜157の範囲のhFEで問題ないことを確認しました。アメリカへの発送は非常に迅速でした。
Author Icon
Sophia Turner
Location Icon United States
5 stars
2023-02-03 22:43
コンポーネントテスターは、10個のBD911トランジスタすべてが44〜47の範囲のhFEで問題ないことを確認しました。アメリカへの発送は非常に迅速でした。
Author Icon
Flávia Costa Neto
Location Icon Brazil
5 stars
2023-01-28 04:14
それは単純なビニール袋の代わりに適切なパッケージでより良いかもしれません..
Author Icon
Laura Žilinskaitė
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-02-02 07:18
良い売り手。ありがとうございます。
Author Icon
Patrícia Gomes
Location Icon Brazil
5 stars
2023-02-01 17:46
テストはしていませんでしたが、すべてうまくいきました..

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