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ホームページ / ディスクリート半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ / Microchip Technology 2N5322E3

2N5322E3

Active - POWER BJT

2N5322E3

Microchip Technology

生産者:

Microchip Technology

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ

データシート:

説明:

POWER BJT

2N5322E3 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ

生産者

Microchip Technology

系列

-

包装

Bulk

製品ステータス

Active

トランジスタタイプ

PNP

電流 - コレクタ（Ic）（最大）

2 A

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）

75 V

Vce飽和（最大） @ lb、Ic

-

電流 - コレクタ遮断（最大）

-

Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）

-

電力 - 最大

10 W

周波数 - トランジション

-

動作温度

-

取り付けタイプ

Through Hole

パッケージ/ケース

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

サプライヤデバイスパッケージ

TO-5AA

2N5322E3 在庫: 44075

履歴価格

$19.35000

Certificates

5.0 / 5.0

Émile Lecomte

France

2023-03-20 09:32

まあ50個。価格に見合った素晴らしい!

Kiko Almeida

Brazil

2023-03-24 12:59

すべて同じ読み方で、すべて真実である、私はお勧めします。

Érica Santos Sra.

Brazil

2023-03-22 12:27

到着。それらをテストしていません

Raffaella Esposito

Italy

2023-03-21 12:55

税関で立ち往生

Pietro Moretti

Italy

2023-03-20 14:42

説明に対応した商品と迅速な発送。真面目な売り手、お勧めします。

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