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ホームページ  /  ディスクリート半導体製品  /  トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングルバイポーラトランジスタ  /  Microchip Technology 2N5075

2N5075

Active Icon Active - POWER BJT
2N5075
2N5075
Microchip Technology
MFRパート #
データシート:
説明:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N5075 仕様

商品属性
属性値
系列
-
包装
Bulk
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
3 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
200 V
Vce飽和(最大) @ lb、Ic
2V @ 300μA, 500μA
電流 - コレクタ遮断(最大)
-
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
-
電力 - 最大
40 W
周波数 - トランジション
-
動作温度
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Stud Mount
パッケージ/ケース
TO-210AA, TO-59-4, Stud
サプライヤデバイスパッケージ
TO-59

2N5075 在庫: 36655

履歴価格
$276.79500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Gisele Nascimento Ferreira
Location Icon Brazil
5 stars
2023-03-10 17:36
商品はよく梱包された売り手の素晴らしい到着
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Maria Luiza
Location Icon Brazil
5 stars
2023-03-09 09:45
ブラジルでの非常に迅速な配達
Author Icon
Bruno Rossi
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-09 04:31
素晴らしい製品と素晴らしい売り手
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Heloísa Lima
Location Icon Brazil
5 stars
2023-03-09 05:02
素晴らしい売り手、私は全体にお勧めします
Author Icon
Madeleine Hubert
Location Icon France
5 stars
2023-03-10 14:16
説明されているように、すべての良いアイテム

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