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ホームページ  /  ディスクリート半導体製品  /  トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングルバイポーラトランジスタ  /  Microchip Technology 2N4999

2N4999

Active Icon Active - POWER BJT
2N4999
2N4999
Microchip Technology
MFRパート #
データシート:
説明:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N4999 仕様

商品属性
属性値
系列
-
包装
Bulk
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
2 A
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
80 V
Vce飽和(最大) @ lb、Ic
-
電流 - コレクタ遮断(最大)
-
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
-
電力 - 最大
35 W
周波数 - トランジション
-
動作温度
-
取り付けタイプ
Stud Mount
パッケージ/ケース
TO-210AA, TO-59-4, Stud
サプライヤデバイスパッケージ
TO-59

2N4999 在庫: 8860

履歴価格
$311.82000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Maria Alice
Location Icon Brazil
5 stars
2023-03-24 20:24
製品は約束を果たしました。IHクッキングヒーターを固定しました。
Author Icon
Ana Teresa
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-24 06:22
非常にいいです。大丈夫です。あいさつ。ありがとうございます。。。
Author Icon
Sergio Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-23 22:54
すべてがOKをお勧めします、素晴らしい製品
Author Icon
Annelies de Wit
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-03-25 04:23
注文したとおりのすべて、品質はチェックしていませんが、外観と数量は説明の通りです。配達は速いです。ありがとうございます!(PS はい、私は女性です!混乱させないでください!
Author Icon
Éva Delaunay
Location Icon France
5 stars
2023-03-26 01:25
彼らは予想よりもはるかに早く到着しました。私がしなければならないのは、それらに乗ることだけです。

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