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ホームページ / ディスクリート半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ / Microchip Technology 2N3777

2N3777

Active - POWER BJT

2N3777

Microchip Technology

生産者:

Microchip Technology

MFRパート #

カテゴリ:

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ

データシート:

説明:

POWER BJT

2N3777 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ

生産者

Microchip Technology

系列

-

包装

Bulk

製品ステータス

Active

トランジスタタイプ

PNP

電流 - コレクタ（Ic）（最大）

1 A

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）

100 V

Vce飽和（最大） @ lb、Ic

-

電流 - コレクタ遮断（最大）

-

Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）

-

電力 - 最大

5 W

周波数 - トランジション

-

動作温度

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Through Hole

パッケージ/ケース

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

サプライヤデバイスパッケージ

TO-5AA

2N3777 在庫: 16340

履歴価格

$31.77000

Certificates

5.0 / 5.0

Leandro

Brazil

2023-03-27 13:27

私がお勧めする順番ですべて非常に速く到着しました

Stanisław Kaczor

Poland

2023-03-26 07:37

注文に応じて良質な商品。配達時間18日。

John Jones

United Kingdom

2023-03-27 06:47

素晴らしいアイテム、素晴らしい売り手、A

Kátia Almeida Lima

Brazil

2023-03-27 19:58

製品を受け取りましたが、まだテストしていませんが、購入には満足しています。

Fábio Gomes Filho

Brazil

2023-03-27 14:43

まだ使ってない
右売り手

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