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2N2780

Active - POWER BJT

生産者:

Microchip Technology

MFRパート #

2N2780

カテゴリ:

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ

データシート:

2N2780

説明:

POWER BJT

2N2780 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ

生産者

Microchip Technology

系列

-

包装

Bulk

製品ステータス

Active

トランジスタタイプ

PNP

電流 - コレクタ（Ic）（最大）

30 A

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）

300 V

Vce飽和（最大） @ lb、Ic

-

電流 - コレクタ遮断（最大）

-

Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）

-

電力 - 最大

200 W

周波数 - トランジション

-

動作温度

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Stud Mount

パッケージ/ケース

TO-211MB, TO-63-4, Stud

サプライヤデバイスパッケージ

TO-63

2N2780 在庫: 29640

履歴価格

$471.90000

5.0 / 5.0

Ana Teresa

Spain

2023-03-24 06:22

非常にいいです。大丈夫です。あいさつ。ありがとうございます。。。

Sergio Gallo

Italy

2023-03-23 22:54

すべてがOKをお勧めします、素晴らしい製品

Annelies de Wit

Netherlands

2023-03-25 04:23

注文したとおりのすべて、品質はチェックしていませんが、外観と数量は説明の通りです。配達は速いです。ありがとうございます！(PS はい、私は女性です!混乱させないでください!

Éva Delaunay

France

2023-03-26 01:25

彼らは予想よりもはるかに早く到着しました。私がしなければならないのは、それらに乗ることだけです。

Jussara Costa Ferreira

Brazil

2023-03-24 07:14

素晴らしい製品。
すでにテスト済み

2N2780

2N2780 仕様

2N2780 在庫: 29640

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