新着商品

品質管理

フィードバック

2N2609

Active - JFETS

生産者:

MFRパート #

カテゴリ:

データシート:

説明:

JFETS

2N2609 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - JFET

生産者

Microchip Technology

系列

-

包装

Bag

製品ステータス

Active

FETタイプ

P-Channel

電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS）

30 V

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

-

電流 - Vds（Vgs=0）印加時のドレイン（Idss）

2 mA @ 5 V

電流ドレイン（Id） - 最大

10 mA

電圧 - Id印加時の遮断（VGSオフ）

750 mV @ 1 A

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

10pF @ 5V

抵抗 - RDS（On）

-

電力 - 最大

300 mW

動作温度

-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)

取り付けタイプ

Through Hole

パッケージ/ケース

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

サプライヤデバイスパッケージ

TO-18 (TO-206AA)

2N2609 在庫: 27175

履歴価格

$12.25500

5.0 / 5.0

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

商品は大変満足しており、売り手様は大変有難うございました。

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

89日でRecu、ストリップ、テストする

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

大丈夫です、ありがとうございます!

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

大丈夫です。時間内に受信

2N2609

2N2609 仕様

2N2609 在庫: 27175

2N2609 関連パーツ