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ホームページ  /  ディスクリート半導体製品  /  トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングルバイポーラトランジスタ  /  Microchip Technology 2N1131L

2N1131L

Active Icon Active - POWER BJT
2N1131L
2N1131L
Microchip Technology
MFRパート #
データシート:
説明:
POWER BJT
 
3D Model Icon

2N1131L 仕様

商品属性
属性値
系列
-
包装
Bulk
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
PNP
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
600 mA
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大)
40 V
Vce飽和(最大) @ lb、Ic
1.3V @ 15mA, 150mA
電流 - コレクタ遮断(最大)
10mA
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小)
20 @ 150mA, 10V
電力 - 最大
600 mW
周波数 - トランジション
-
動作温度
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
サプライヤデバイスパッケージ
TO-5AA

2N1131L 在庫: 36660

履歴価格
$25.57500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Quinto Silva Ferreira
Location Icon Brazil
5 stars
2023-04-04 03:03
上部にラッチマークがあり、使われていると思います。私は使って支払いました
Author Icon
Camila Lopes
Location Icon Brazil
5 stars
2023-04-06 07:11
優れた品質と超速い販売推奨が用意されています。
Author Icon
Ilaria Ferri
Location Icon Italy
5 stars
2023-04-05 09:43
商品と数量は説明通りで、品質は良好です。
Author Icon
Orlando Santos Almeida
Location Icon Brazil
5 stars
2023-03-31 18:12
素晴らしい獲得です。品質の良い商品で、非常に責任感のある販売者です。
Author Icon
Giulio Conti
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-30 13:19
説明通りのもので、とても良い販売者で、強くおすすめします。

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