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1N6491

Active Icon Active - DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
1N6491
1N6491
Microchip Technology
MFRパート #
データシート:
説明:
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
 
3D Model Icon

1N6491 仕様

商品属性
属性値
系列
Military, MIL-PRF-19500/406
包装
Bulk
製品ステータス
Active
技術
Standard
電圧 - DC逆方向(Vr)(最大)
600 V
電流 - 平均整流(Io)
400mA
電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大)
1 V @ 400 mA
速度
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
逆回復時間(trr)
-
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ
50 nA @ 600 V
Vr、F印加時の静電容量
-
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤデバイスパッケージ
DO-35 (DO-204AH)
動作温度 - ジャンクション
-65 ℃ ~ 175 ℃

1N6491 在庫: 24260

履歴価格
$13.35000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Sylvie Mallet
Location Icon France
5 stars
2023-03-31 15:09
準拠製品で、まだテストされていません。
Author Icon
Zbigniew Kaczor
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-31 03:04
すべて順調です。おすすめします
Author Icon
Saulius Žukauskas
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-04-06 07:00
商品に非常に満足しています。出品者に感謝します。
Author Icon
Mirella
Location Icon Brazil
5 stars
2023-04-05 09:38
すぐに届きましたが、私にはオリジナルのように見えます。
Author Icon
Cristian Díaz
Location Icon Spain
5 stars
2023-04-02 21:32
とても早く届き、よく梱包されています。

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