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ホームページ  /  ディスクリート半導体製品  /  ダイオード - 整流器 - シングルダイオード  /  Microchip Technology 1N5812

1N5812

Active Icon Active - DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
1N5812
1N5812
Microchip Technology
MFRパート #
データシート:
説明:
DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA
 
3D Model Icon

1N5812 仕様

商品属性
属性値
系列
-
包装
Bulk
製品ステータス
Active
技術
Standard
電圧 - DC逆方向(Vr)(最大)
50 V
電流 - 平均整流(Io)
20A
電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大)
950 mV @ 20 A
速度
Fast Recovery = 200mA (Io)
逆回復時間(trr)
15 ns
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ
10 μA @ 50 V
Vr、F印加時の静電容量
300pF @ 10V, 1MHz
取り付けタイプ
Stud Mount
パッケージ/ケース
DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤデバイスパッケージ
DO-203AA
動作温度 - ジャンクション
-65 ℃ ~ 175 ℃

1N5812 在庫: 45720

履歴価格
$59.26500
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Jorrit van der Vlist
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-03-13 08:52
これらのPT2399は新しいものではありません。脚にはんだ付け、脚は曲げられ切られています。
Author Icon
Viktoria Glas
Location Icon Germany
5 stars
2023-04-08 21:00
うまく機能します。私は幸せです
Author Icon
Felipe Nascimento
Location Icon Brazil
5 stars
2023-04-08 19:59
時間通りに来てテストしたら完璧に動作しました。
Author Icon
Sara van der Linden
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-04-07 04:51
テスターによると、すべてのトランジスタがHFEに等しいわけではありません。HAMタンセイバー用のリニア電源にゲブリック5トランジスタを搭載しています。
Author Icon
Nicoletta Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-04-07 16:58
MOSFETは動作していますが、スポット溶接機はトリガーとして機能しなかったため、抵抗を変えなければなりませんでした

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