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1N5809US

Active - DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

1N5809US

Microchip Technology

生産者:

Microchip Technology

MFRパート #

カテゴリ:

ダイオード - 整流器 - シングルダイオード

データシート:

説明:

DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF

1N5809US 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

ダイオード - 整流器 - シングルダイオード

生産者

Microchip Technology

系列

-

包装

Bulk

製品ステータス

Active

技術

Standard

電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）

100 V

電流 - 平均整流（Io）

3A

電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）

875 mV @ 4 A

速度

Fast Recovery = 200mA (Io)

逆回復時間（trr）

30 ns

電流 - Vr印加時の逆方向漏れ

5 μA @ 100 V

Vr、F印加時の静電容量

60pF @ 10V, 1MHz

取り付けタイプ

Surface Mount

パッケージ/ケース

SQ-MELF, B

サプライヤデバイスパッケージ

B, SQ-MELF

動作温度 - ジャンクション

-65 ℃ ~ 175 ℃

1N5809US 在庫: 10180

履歴価格

$8.20000

Certificates

5.0 / 5.0

Emil Schwarz

Germany

2023-05-23 21:41

品質が良く、配送も早いです :-)

Jakub Wysocki

Poland

2023-05-21 09:36

締め切り前に注文通りの荷物を受け取りました

Teresa Nowicka

Poland

2023-05-21 09:34

注文通り、締め切り前にドーナツを受け取りました

Laura de Jong

Netherlands

2023-05-20 06:38

まだテストしていませんが、チップは新品のように見えます。

Thomas Bouvier

France

2023-05-23 23:56

説明通りです。迅速に届けられました。

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