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2N2018

Active - TRANS NPN 125V 1A TO111

生産者:

General Semiconductor

MFRパート #

2N2018

カテゴリ:

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ

データシート:

2N2018

説明:

TRANS NPN 125V 1A TO111

2N2018 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングルバイポーラトランジスタ

生産者

General Semiconductor

系列

-

包装

Bulk

製品ステータス

Active

トランジスタタイプ

-

電流 - コレクタ（Ic）（最大）

1 A

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）

125 V

Vce飽和（最大） @ lb、Ic

6V @ 100mA, 1A

電流 - コレクタ遮断（最大）

100μA (ICBO)

Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン（hFE）（最小）

20 @ 500mA, 10V

電力 - 最大

20 W

周波数 - トランジション

2MHz

動作温度

-

取り付けタイプ

Stud Mount

パッケージ/ケース

TO-111-4, Stud

サプライヤデバイスパッケージ

TO-111

2N2018 在庫: 5180

履歴価格

Active

5.0 / 5.0

Vanessa Gallo

Italy

2023-03-03 06:27

いつものように完璧

Alice Parker

United States

2023-03-03 17:39

すぐに到着し、きちんと梱包され、(代表カード付き)

Arianna Leone

Italy

2023-03-03 11:03

relがアクティブにならなかったため、イメージカードの修復に使用%26lt;br%26gt;です。完璧に動作するようになりました

Jaxon Green

United States

2023-03-03 23:34

正しい品質はすべて大丈夫です

Clara Isabel

Spain

2023-03-03 06:35

宣伝通りの見た目。実際のアプリケーションではまだテストされていません。

2N2018

2N2018 仕様

2N2018 在庫: 5180

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