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EPC2101ENGRT

Discontinued - GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

生産者:

EPC

MFRパート #

EPC2101ENGRT

カテゴリ:

トランジスタ - FET、MOSFET - FET、MOSFETアレイ

データシート:

EPC2101ENGRT

説明:

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

EPC2101ENGRT 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - FET、MOSFETアレイ

生産者

EPC

系列

eGaN

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Discontinued

技術

2 N-Channel (Half Bridge)

構成

GaNFET (Gallium Nitride)

FET機能

60V

ドレイン～ソース間電圧（Vdss）

9.5A, 38A

電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）

11.5mOhm @ 20A, 5V

Id、Vgs印加時のRds On（最大）

2.5V @ 2mA

Id印加時のVgs（th）（最大）

2.7nC @ 5V

Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）

300pF @ 30V

Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）

-

電力 - 最大

-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)

動作温度

Surface Mount

取り付けタイプ

Die

パッケージ/ケース

Die

サプライヤデバイスパッケージ

-

EPC2101ENGRT 在庫: 12925

履歴価格

Discontinued at Digi-Key

5.0 / 5.0

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

商品は大変満足しており、売り手様は大変有難うございました。

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

89日でRecu、ストリップ、テストする

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

大丈夫です、ありがとうございます!

Hugo

Spain

2021-12-23 03:52

大丈夫です。時間内に受信

EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT 仕様

EPC2101ENGRT 在庫: 12925

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