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HER306T/R

Active - DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

HER306T/R

Eic Semiconductor

生産者:

Eic Semiconductor

MFRパート #

カテゴリ:

ダイオード - 整流器 - シングルダイオード

データシート:

説明:

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

HER306T/R 仕様

商品属性

属性値

カテゴリ

ダイオード - 整流器 - シングルダイオード

生産者

Eic Semiconductor

系列

-

包装

Tape & Reel (TR)

製品ステータス

Active

技術

Standard

電圧 - DC逆方向（Vr）（最大）

600 V

電流 - 平均整流（Io）

3A

電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大）

1.7 V @ 3 A

速度

Fast Recovery = 200mA (Io)

逆回復時間（trr）

75 ns

電流 - Vr印加時の逆方向漏れ

10 μA @ 600 V

Vr、F印加時の静電容量

50pF @ 4V, 1MHz

取り付けタイプ

Through Hole

パッケージ/ケース

DO-201AD, Axial

サプライヤデバイスパッケージ

DO-201AD

動作温度 - ジャンクション

-65 ℃ ~ 150 ℃

HER306T/R 在庫: 11760

履歴価格

$0.20000

Certificates

5.0 / 5.0

Quentin Giraud

France

2021-07-09 02:45

好評、まだテストされていません

Jukka Laakso

Finland

2021-12-03 00:22

10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。

Kęstutis Darius

Lithuania

2021-12-27 06:22

商品は大変満足しており、売り手様は大変有難うございました。

Justine Perrin

France

2021-06-10 07:32

89日でRecu、ストリップ、テストする

Lotte van der Veen

Netherlands

2021-11-23 06:50

大丈夫です、ありがとうございます!

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