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AS4C16M32MSA-6BIN
Active - IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
生産者:
Alliance Memory
MFRパート #
AS4C16M32MSA-6BIN
カテゴリ:
メモリ
データシート:
AS4C16M32MSA-6BIN
説明:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MSA-6BIN 仕様
商品属性
属性値
カテゴリ
メモリ
生産者
Alliance Memory
系列
-
包装
Tray
製品ステータス
Active
メモリタイプ
Volatile
メモリフォーマット
DRAM
技術
SDRAM - Mobile SDRAM
メモリサイズ
512Mbit
メモリ構成
16M x 32
メモリインターフェース
Parallel
クロック周波数
166 MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
15ns
アクセス時間
5.4 ns
電圧 - 供給
1.7V ~ 1.95V
動作温度
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
90-VFBGA
サプライヤデバイスパッケージ
90-FBGA (8x13)
AS4C16M32MSA-6BIN 在庫: 43425
履歴価格
$8.28000
5.0 / 5.0
Léonie Caron
France
2021-08-02 07:24
パッケージのフェルトマーキングがあまり読み取れません(混乱する可能性があります)!それがなければ、適合してください!売り手さんありがとうございます!
Danuta Krawczyk
Poland
2021-08-12 12:06
IGBTトランジスタは、プラスt7-hの横のテスターのSAを検出しません、Eプラスの12Vのprzelaczanieのテシーで、さらにzarowkaはCの12Vを駆動し、指をプラスでトリガーし、zalanczaは-wylanczaでトリガーしました。非常に速いwysylka、速い配達、プロダクトよいjakosci、非常に私達
Charles Reed
United States
2021-12-31 23:06
良い製品と正しく動作します。
Quentin Giraud
France
2021-07-09 02:45
好評、まだテストされていません
Jukka Laakso
Finland
2021-12-03 00:22
10個注文します。ここで、3つのチップをテストし、2つはID 0x441で、STM32F407ではなくSTM32F412です。私はとてもがっかりしています。
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